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EMMI（微光顯微鏡）

EMMI（微光顯微鏡）

對于失效分析而言，微光顯微鏡是一種相當(dāng)有用，且效率極高的分析工具，主要偵測IC內(nèi)部所放出光子。在IC原件中，EHP Recombination會放出光子，例如：在PN Junction加偏壓，此時N的電子很容易擴散到P，而P的空穴也容易擴散至N，然后與P端的空穴做EHP Recombination。

偵測到亮點之情況：

1.漏電結(jié)；2.解除毛刺；3.熱電子效應(yīng)；4.閂鎖效應(yīng)； 5.氧化層漏電；6.多晶硅須；7.襯底損失；8.物理損傷等。

測試內(nèi)容：

1.P-N接面漏電，P-N接面崩潰；

2.飽和區(qū)晶體管的熱電子；

3.氧化層漏電流產(chǎn)生的光子激發(fā)；

4.Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、Hot Carriers Effect、ESD。

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