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測(cè)試服務(wù)

測(cè)試服務(wù)

Testing service

SEM（掃描電子顯微鏡）
設(shè)備描述：
此設(shè)備為緊湊型場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡，成像分辨率優(yōu)于10nm。低加速電壓成像，有效減少電荷累積，非導(dǎo)電樣品，無(wú)須噴金噴碳處理，便可直接進(jìn)行觀察。
工藝能力：
?  電子槍?zhuān)簣?chǎng)發(fā)射電子源
?  加速電壓：0.5 to 2 kV
?  束流：0.2 to 1 nA 
?  分辨率：<10 nm （@1kV）
?  放大倍數(shù)：250 to 130,000x  (2048×2048pixels) 
?  樣品尺寸：最大 100×60 mm
?  樣品高度：最大 30 mm


晶邊刻蝕工藝詳解
晶邊刻蝕工藝詳解

2025-12-26

3D NAND 因堆疊層數(shù)激增，晶圓中心到邊緣的膜層厚度差異可達(dá) 20% 以上，為缺陷埋下隱患。最常見(jiàn)的剝落缺陷，根源在于膜層應(yīng)力與附著力失衡：沉積...

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為什么勻膠后不洗邊良率直接跌20%？
為什么勻膠后不洗邊良率直接跌20%？

2026-01-23

洗邊本質(zhì)是通過(guò)消除邊緣工藝偏差，保障晶圓全局的工藝一致性。勻膠時(shí)，晶圓在高速旋轉(zhuǎn)下，光刻膠受離心力作用向邊緣擴(kuò)散，但受表面張力、晶圓邊緣形貌...

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MEMS犧牲層去除技術(shù)詳解
MEMS犧牲層去除技術(shù)詳解

2025-07-21

在MEMS器件的制造流程中，犧牲層去除工藝始終是決定器件良率與可靠性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。這一過(guò)程的核心挑戰(zhàn)在于：如何在釋放可動(dòng)微結(jié)構(gòu)的同時(shí)，避免因機(jī)...

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濕法腐蝕工藝開(kāi)發(fā)的過(guò)程中需要注意哪些問(wèn)題？
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2025-08-22

1.現(xiàn)有工藝復(fù)用優(yōu)先原則 2，新工藝開(kāi)發(fā)的成本-風(fēng)險(xiǎn)模型 1.腐蝕液配方設(shè)計(jì)三原則 原則2——工藝窗口寬泛化：±2℃時(shí)腐蝕速率變化<5%；HCl體系pH...

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