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全球刻蝕設(shè)備市場(chǎng)
2023-08-15

目前，全球刻蝕機(jī)設(shè)備的參與者相對(duì)較少，行業(yè)整體處于寡頭壟斷格局。主要的參與者包括美國(guó)的Lam Research（泛林半導(dǎo)體）、AMAT（應(yīng)用材料）、日...
C4凸點(diǎn)技術(shù)
2023-08-15

最早的FC晶圓C4凸點(diǎn)制造技術(shù)是IBM公司開(kāi)發(fā)的蒸鍍工藝，目前最常用的方法是電化學(xué)沉積或電鍍工藝。芯片凸點(diǎn)的蒸鍍工藝流程如下：將鉬掩模板對(duì)中至...
直寫光刻在掩膜版制造過(guò)程中的應(yīng)用
2023-08-14

掩膜版的生產(chǎn)主要包括以下幾個(gè)流程：圖形光刻，顯影，蝕刻，脫膜，清洗。其中，圖形光刻是通過(guò)光刻機(jī)進(jìn)行激光光束直寫，以完成圖形曝光，掩膜版制造都...
掩膜板的制造和管理
2023-08-14

掩膜板的基材一般為熔融石英（quartz），這種材料對(duì)深紫外光（DUV，KrF-248nm，ArF-193nm）具有高的光學(xué)透射，而且具有非常低的溫度膨...
最佳曝光劑量的確定
2023-08-11

曝光劑量和曝光時(shí)間之間的換算因子為了獲得根據(jù)光刻膠技術(shù)數(shù)據(jù)表中給出的推薦曝光劑量確定的正確地曝光時(shí)間，必須知道以下內(nèi)容: · 曝光...
紫外曝光的光反應(yīng)過(guò)程
2023-08-11

曝光：在光刻膠膜中發(fā)生的化學(xué)過(guò)程導(dǎo)致其在顯影液中溶解度的增加(正膠)或減少(負(fù)膠)，從而可以產(chǎn)生出特定結(jié)構(gòu)光刻膠膜。基于DNQ-基光引發(fā)劑的正膠...

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